光致反常霍尔效应的变温测量装置及测量方法 | |
朱来攀; 陈涌海; 刘雨; 俞金玲; 蒋崇云 | |
专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
公开日期 | 2014-05-21 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
学科领域 | 半导体材料 |
申请日期 | 2014-02-13 |
申请号 | CN201410050256.3 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25770 |
专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱来攀,陈涌海,刘雨,等. 光致反常霍尔效应的变温测量装置及测量方法. |
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光致反常霍尔效应的变温测量装置及测量方法(604KB) | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 |
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