| 基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法 | |
| 康贺; 王晓亮; 肖红领; 王翠梅; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 崔磊 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2014-07-02 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Application Date | 2014-03-25 |
| Application Number | CN201410112734.9 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25739 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 康贺,王晓亮,肖红领,等. 基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方（566KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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