SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
改进p-GaN薄膜欧姆接触的材料结构及其制备方法
吴亮亮; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 李亮; 乐伶聪; 杨辉
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-05-01
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2013-01-18
申请号CN201310020078.5
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25698
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
吴亮亮,赵德刚,江德生,等. 改进p-GaN薄膜欧姆接触的材料结构及其制备方法.
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