| 基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器 | |
| 宋国峰; 许斌宗; 韦欣; 刘杰涛; 相春平; 付东; 徐云 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2014-07-23 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 半导体材料 |
| 申请日期 | 2014-05-04 |
| 申请号 | CN201410184396.X |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25673 |
| 专题 | 纳米光电子实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋国峰,许斌宗,韦欣,等. 基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 基于表面等离子体效应增强吸收的InGaA（1226KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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