输出功率和光谱形状独立可调的发光二极管的制作方法 | |
陈红梅; 金鹏; 王占国 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2014-06-28 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 半导体材料 |
Application Date | 2014-03-07 |
Application Number | CN201410083290.0 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25668 |
Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 陈红梅,金鹏,王占国. 输出功率和光谱形状独立可调的发光二极管的制作方法. |
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输出功率和光谱形状独立可调的发光二极管的(549KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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