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含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池
杨静; 赵德刚; 李亮; 吴亮亮; 乐伶聪; 李晓静; 何晓光
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-05-08
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2013-01-28
申请号CN201310031285.0
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25667
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
杨静,赵德刚,李亮,等. 含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池.
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含有变In组分InGaN_GaN多层量子(418KB) 限制开放使用许可请求全文
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