| 一种II型III-V族量子点材料的生长方法 | |
| 崔凯; 马文全; 张艳华 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2013-07-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Application Date | 2013-05-02 |
| Application Number | CN201310157823.0 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25629 |
| Collection | 纳米光电子实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 崔凯,马文全,张艳华. 一种II型III-V族量子点材料的生长方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 一种II型III-V族量子点材料的生长方（548KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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