SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
可调控能带的UV LED多量子阱结构装置及生长方法
张连; 曾建平; 魏同波; 闫建昌; 王军喜; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-09-25
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2013-06-19
申请号CN201310244191.1
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25577
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
张连,曾建平,魏同波,等. 可调控能带的UV LED多量子阱结构装置及生长方法.
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可调控能带的UV+LED多量子阱结构装置(734KB) 限制开放使用许可请求全文
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