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在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生长量子点的方法 | |
査国伟; 李密锋; 喻颖; 王莉娟; 徐建星; 尚向军; 倪海桥; 贺振宏; 牛智川 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2013-10-23 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 半导体物理 |
Application Date | 2013-07-11 |
Application Number | CN201310290299.4 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25546 |
Collection | 半导体超晶格国家重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 査国伟,李密锋,喻颖,等. 在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生长量子点的方法. |
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在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生(1282KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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