| 提高AlN外延薄膜荧光强度的方法 | |
| 王维颖; 毛德丰; 李维; 金鹏; 王占国 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2014-02-12 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Application Date | 2013-11-19 |
| Application Number | CN201310585868.8 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25476 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王维颖,毛德丰,李维,等. 提高AlN外延薄膜荧光强度的方法. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 提高AlN外延薄膜荧光强度的方法.pdf（304KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment