提高AlN外延薄膜荧光强度的方法 | |
王维颖; 毛德丰; 李维; 金鹏; 王占国 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2014-02-12 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 半导体材料 |
Application Date | 2013-11-19 |
Application Number | CN201310585868.8 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25476 |
Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 王维颖,毛德丰,李维,等. 提高AlN外延薄膜荧光强度的方法. |
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