一种低量程高灵敏度MEMS压力传感器及其制作方法 | |
赵永梅; 季安; 张明亮; 杨香; 宁瑾; 王晓东; 杨富华 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2014-03-19 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 微电子学 |
Application Date | 2013-12-19 |
Application Number | CN201310706910.7 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25461 |
Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 赵永梅,季安,张明亮,等. 一种低量程高灵敏度MEMS压力传感器及其制作方法. |
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一种低量程高灵敏度MEMS压力传感器及其(701KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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