SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
一种晶圆级基板微通孔电镀方法
王莉; 谢海忠; 刘志强; 伊晓燕; 郭恩卿; 王军喜; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2014-03-19
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2013-12-19
申请号CN201310706420.7
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25459
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
王莉,谢海忠,刘志强,等. 一种晶圆级基板微通孔电镀方法.
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一种晶圆级基板微通孔电镀方法.pdf(261KB) 限制开放使用许可请求全文
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