氮化镓激光器腔面的制作方法 | |
田迎冬; 董鹏; 张韵; 闫建昌; 孙莉莉; 王军喜; 李晋闽 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2014-04-02 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 半导体器件 |
Application Date | 2013-11-27 |
Application Number | CN201310637212.6 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25438 |
Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 田迎冬,董鹏,张韵,等. 氮化镓激光器腔面的制作方法. |
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