| 在低位错GaN纳米柱上外延LED的方法 | |
| 吴奎; 魏同波; 闫建昌; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-19 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体器件 |
| Application Date | 2012-06-06 |
| Application Number | CN201210184531.1 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25424 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 吴奎,魏同波,闫建昌,等. 在低位错GaN纳米柱上外延LED的方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 在低位错GaN纳米柱上外延LED的方法.（282KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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