| 硅基近红外光电探测器结构及其制作方法 | |
| 胡少旭; 韩培德; 李辛毅; 毛雪; 高利朋 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2013-01-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Application Date | 2012-08-28 |
| Application Number | CN201210311314.4 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25416 |
| Collection | 光电子研究发展中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 胡少旭,韩培德,李辛毅,等. 硅基近红外光电探测器结构及其制作方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 硅基近红外光电探测器结构及其制作方法.p（512KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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