利用选择区域外延技术制作分布反馈激光器阵列的方法 | |
梁松; 张灿; 朱洪亮; 王圩 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2012-12-12 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 半导体材料 |
Application Date | 2012-08-31 |
Application Number | CN201210319231.X |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25413 |
Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 梁松,张灿,朱洪亮,等. 利用选择区域外延技术制作分布反馈激光器阵列的方法. |
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利用选择区域外延技术制作分布反馈激光器阵(534KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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