| 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法 | |
| 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-07-04 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体器件 |
| Application Date | 2012-03-21 |
| Application Number | CN201210075703.1 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25380 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 梁萌,李鸿渐,姚然,等. 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方（458KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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