在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法

	在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法
	赵建华; 王思亮; 俞学哲; 王海龙
Rights Holder	中国科学院半导体研究所
Date Available	2012-07-11
Country	中国
Subtype	发明
Subject Area	半导体物理
Application Date	2012-02-15
Application Number	CN201210033519.0
Document Type	专利
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25367
Collection	半导体超晶格国家重点实验室
Recommended Citation GB/T 7714	赵建华,王思亮,俞学哲,等. 在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法.

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