| 同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高氧化层热稳定性的方法 | |
| 周文飞; 徐波; 叶小玲; 张世著; 王占国 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-07-25 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Application Date | 2012-03-27 |
| Application Number | CN201210083214.0 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25366 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 周文飞,徐波,叶小玲,等. 同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高氧化层热稳定性的方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高氧化层（1356KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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