Ⅱ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法 | |
张艳华; 马文全; 曹玉莲 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2012-07-04 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 半导体材料 |
Application Date | 2012-02-17 |
Application Number | CN201210037639.8 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25365 |
Collection | 纳米光电子实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 张艳华,马文全,曹玉莲. Ⅱ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法. |
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Ⅱ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延(927KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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