SEMI OpenIR  > 纳米光电子实验室
Ⅱ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法
张艳华; 马文全; 曹玉莲
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-07-04
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2012-02-17
申请号CN201210037639.8
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25365
专题纳米光电子实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
张艳华,马文全,曹玉莲. Ⅱ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法.
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Ⅱ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延(927KB) 限制开放使用许可请求全文
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