SEMI OpenIR  > 纳米光电子实验室
一种制备GaSb基分布反馈激光器中光栅的系统及方法
王永宾; 张晶; 徐云; 宋国锋; 陈良惠
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-07-04
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2012-02-17
申请号CN201210037646.8
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25360
专题纳米光电子实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
王永宾,张晶,徐云,等. 一种制备GaSb基分布反馈激光器中光栅的系统及方法.
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