基于寄生电容调节的高精度温度补偿MEMS振荡器 | |
司朝伟; 韩国威; 宁瑾; 刘晓东 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2012-07-18 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 微电子学 |
Application Date | 2012-03-01 |
Application Number | CN201210051847.3 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25355 |
Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 司朝伟,韩国威,宁瑾,等. 基于寄生电容调节的高精度温度补偿MEMS振荡器. |
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基于寄生电容调节的高精度温度补偿MEMS(414KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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