侧面粗化的发光二极管及其制作方法 | |
谢海忠; 张逸韵; 王兵; 杨华; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2012-07-18 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 半导体器件 |
Application Date | 2012-03-02 |
Application Number | CN201210052920.9 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25352 |
Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 谢海忠,张逸韵,王兵,等. 侧面粗化的发光二极管及其制作方法. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
侧面粗化的发光二极管及其制作方法.pdf(627KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment