SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
侧面粗化的发光二极管及其制作方法
谢海忠; 张逸韵; 王兵; 杨华; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-07-18
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2012-03-02
申请号CN201210052920.9
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25352
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
谢海忠,张逸韵,王兵,等. 侧面粗化的发光二极管及其制作方法.
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