SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
非晶硅薄膜中间带材料及其制备方法
曹权; 周天微; 左玉华; 王启明
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-07-04
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2012-03-29
申请号CN201210088816.5
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25347
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
曹权,周天微,左玉华,等. 非晶硅薄膜中间带材料及其制备方法.
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非晶硅薄膜中间带材料及其制备方法.pdf(349KB) 限制开放使用许可请求全文
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