SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
用于神经元刺激及电信号记录的光电极阵列及制备方法
裴为华; 陈三元; 归强; 李雷; 陈弘达
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-12-19
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2012-09-24
申请号CN201210358686.2
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25333
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
裴为华,陈三元,归强,等. 用于神经元刺激及电信号记录的光电极阵列及制备方法.
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