| 沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法 | |
| 何志; 张峰; 樊中朝; 赵咏梅; 孙国胜; 季安; 杨富华 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-10-10 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 微电子学 |
| Application Date | 2012-04-16 |
| Application Number | CN201210110576.4 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25309 |
| Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 何志,张峰,樊中朝,等. 沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法.p（428KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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