| 大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法 | |
| 孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-07-25 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体器件 |
| Application Date | 2012-03-31 |
| Application Number | CN201210093603.1 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25304 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 孙波,赵丽霞,伊晓燕,等. 大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法.pd（279KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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