在硅波导上刻槽制备硅基混合激光器的方法
于红艳; 周旭亮; 邵永波; 袁丽君; 王宝军; 潘教青; 王圩
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-08-15
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2012-04-20
申请号CN201210119276.2
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25301
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
于红艳,周旭亮,邵永波,等. 在硅波导上刻槽制备硅基混合激光器的方法.
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