| 一种制备量子点场效应晶体管列阵的方法 | |
| 聂诚磊; 杨晓红; 王秀平; 王杰; 刘少卿; 李彬; 杨怀伟; 尹伟红; 韩勤 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-10-17 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Application Date | 2012-07-09 |
| Application Number | CN201210236350.9 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25287 |
| Collection | 光电子研究发展中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 聂诚磊,杨晓红,王秀平,等. 一种制备量子点场效应晶体管列阵的方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 一种制备量子点场效应晶体管列阵的方法.p（1891KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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