| BiFeO3薄膜的原子层沉积方法 | |
| 张峰; 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 刘兴昉; 曾一平 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-11-14 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Application Date | 2012-08-07 |
| Application Number | CN201210278738.5 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25281 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 张峰,孙国胜,王雷,等. BiFeO3薄膜的原子层沉积方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| BiFeO3薄膜的原子层沉积方法.pdf（522KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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