铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法; 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法; 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法; 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法 | |
王晓亮; 彭恩超; 王翠梅; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2013-02-13 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 半导体材料 |
Application Date | 2012-11-19 |
Application Number | CN201210467084.0 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25213 |
Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 王晓亮,彭恩超,王翠梅,等. 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法, 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法, 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法, 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法. |
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铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT(535KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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