| 制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法 | |
| 程滟; 汪炼成; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2013-03-06 ; 2013-03-06 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体器件 |
| Application Date | 2012-11-05 |
| Application Number | CN201210436128.3 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25199 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 程滟,汪炼成,刘志强,等. 制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二（374KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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