| 下转换荧光材料的制备方法 | |
| 李乐良; 郑军; 左玉华; 成步文; 王启明; 郑智雄 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2013-03-20 ; 2013-03-20 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Application Date | 2012-12-04 |
| Application Number | CN201210513687.X |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25196 |
| Collection | 光电子研究发展中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 李乐良,郑军,左玉华,等. 下转换荧光材料的制备方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 下转换荧光材料的制备方法.pdf（358KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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