下转换荧光材料的制备方法 | |
李乐良; 郑军; 左玉华; 成步文; 王启明; 郑智雄 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2013-03-20 ; 2013-03-20 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 光电子学 |
Application Date | 2012-12-04 |
Application Number | CN201210513687.X |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25196 |
Collection | 光电子研究发展中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 李乐良,郑军,左玉华,等. 下转换荧光材料的制备方法. |
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