采用压电材料制备的阵列结构微机电谐振器 | |
康中波; 司朝伟; 宁瑾; 韩国威 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2013-04-03 ; 2013-04-03 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 微电子学 |
Application Date | 2012-12-13 |
Application Number | CN201210539946.6 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25192 |
Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 康中波,司朝伟,宁瑾,等. 采用压电材料制备的阵列结构微机电谐振器. |
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采用压电材料制备的阵列结构微机电谐振器.(456KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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