高出光率倒装结构LED的制作方法 | |
刘娜; 谢海忠; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2013-03-13 ; 2013-03-13 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 半导体器件 |
Application Date | 2012-12-17 |
Application Number | CN201210548494.8 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25185 |
Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 刘娜,谢海忠,伊晓燕,等. 高出光率倒装结构LED的制作方法. |
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高出光率倒装结构LED的制作方法.pdf(433KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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