生长InP基InAs量子阱的方法 | |
季海铭; 罗帅; 杨涛 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2013-03-20 ; 2013-03-20 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 半导体材料 |
Application Date | 2012-12-21 |
Application Number | CN201210564366.2 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25174 |
Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 季海铭,罗帅,杨涛. 生长InP基InAs量子阱的方法. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
生长InP基InAs量子阱的方法.pdf(434KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment