| 硅中离子注入硫属元素引入深能级的研究 | |
| 高利朋 | |
| Subtype | 博士 |
| Thesis Advisor | 韩培德 |
| 2014 | |
| Degree Grantor | 中国科学院研究生院 |
| Place of Conferral | 北京 |
| Degree Discipline | 物理电子学 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Date Available | 2014-07-01 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25139 |
| Collection | 光电子研究发展中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 高利朋. 硅中离子注入硫属元素引入深能级的研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2014. |
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| 高利朋--硅中离子注入硫属元素引入深能级（10087KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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