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HgTe/CdTe及InAs/GaSb/AlSb低维材料体系的电子态性质 | |
庞蜜 | |
Subtype | 博士 |
Thesis Advisor | 吴晓光 |
2014-05 | |
Degree Grantor | 中国科学院大学 |
Place of Conferral | 北京 |
Degree Discipline | 凝聚态物理 |
Keyword | Hgte/cdte 量子阱 Inas/gasb超晶格 Inas/gasb耦合量子阱 二维拓扑绝缘体 窄禁带半导体 电子态结构 磁光吸收谱 |
Subject Area | 半导体物理 |
Date Available | 2014-05-28 |
Document Type | 学位论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25021 |
Collection | 半导体超晶格国家重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 庞蜜. HgTe/CdTe及InAs/GaSb/AlSb低维材料体系的电子态性质[D]. 北京. 中国科学院大学,2014. |
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