发光二极管的制备方法; 发光二极管的制备方法 | |
孙莉莉; 闫建昌; 王军喜 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 一种发光二极管的制备方法,包括如下步骤:步骤1:在衬底上外延N型GaN薄膜;步骤2:在N型GaN薄膜上沉积掩膜;步骤3:通过刻蚀或腐蚀工艺,在掩膜上制备SiO2网格,形成基片;步骤4:对基片进行清洗;步骤5:将清洗后的基片放入MOCVD设备,在SiO2网格内依次外延生长N型GaN层、量子阱层、AlGaN电子阻挡层和P型GaN层;步骤6:腐蚀去掉SiO2网格;步骤7:在P型GaN层上形成ITO层;步骤8:在ITO层上形成P电极;步骤9:在N型GaN层上形成N电极,完成器件的制备。 |
metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
Patent Number | CN102130230A |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN201010610360.5 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23518 |
Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 孙莉莉,闫建昌,王军喜. 发光二极管的制备方法, 发光二极管的制备方法. CN102130230A. |
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发光二极管的制备方法.pdf(162KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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