| 发光二极管的制备方法; 发光二极管的制备方法 | |
| 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种发光二极管的制备方法,包括如下步骤：步骤1：在衬底上外延N型GaN薄膜；步骤2：在N型GaN薄膜上沉积掩膜；步骤3：通过刻蚀或腐蚀工艺,在掩膜上制备SiO2网格,形成基片；步骤4：对基片进行清洗；步骤5：将清洗后的基片放入MOCVD设备,在SiO2网格内依次外延生长N型GaN层、量子阱层、AlGaN电子阻挡层和P型GaN层；步骤6：腐蚀去掉SiO2网格；步骤7：在P型GaN层上形成ITO层；步骤8：在ITO层上形成P电极；步骤9：在N型GaN层上形成N电极,完成器件的制备。 |
| metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
| Patent Number | CN102130230A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010610360.5 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23518 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 孙莉莉,闫建昌,王军喜. 发光二极管的制备方法, 发光二极管的制备方法. CN102130230A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 发光二极管的制备方法.pdf（162KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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