| 一种紫外LED的制作方法; 一种紫外LED的制作方法 |
| 贠利君; 吴奎; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明提供一种紫外LED的制作方法,包括下述步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上依次生长成核层和n型层；步骤3：在n型层上生长多量子阱层；步骤4：在多量子阱层上生长电子阻挡层和p型层,完成结构的生长。本发明可以解决白光固态照明中用紫外光激射RGB荧光粉产生白光这一方法中紫外LED输出功率低的问题。 |
| 部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
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| 专利号 | CN102148300A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110063867.8
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23516
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| 专题 | 中科院半导体照明研发中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
贠利君,吴奎,刘乃鑫,等. 一种紫外LED的制作方法, 一种紫外LED的制作方法. CN102148300A.
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