一种紫外LED的制作方法; 一种紫外LED的制作方法 | |
贠利君; 吴奎; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 本发明提供一种紫外LED的制作方法,包括下述步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上依次生长成核层和n型层;步骤3:在n型层上生长多量子阱层;步骤4:在多量子阱层上生长电子阻挡层和p型层,完成结构的生长。本发明可以解决白光固态照明中用紫外光激射RGB荧光粉产生白光这一方法中紫外LED输出功率低的问题。 |
metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
Patent Number | CN102148300A |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN201110063867.8 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23516 |
Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 贠利君,吴奎,刘乃鑫,等. 一种紫外LED的制作方法, 一种紫外LED的制作方法. CN102148300A. |
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一种紫外LED的制作方法.pdf(336KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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