| 提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管; 提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管 | |
| 马平; 王军喜; 魏学成; 曾一平; 李晋闽 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种提高电子注入效率的氮化镓系发光二极管,其包括：一衬底；一氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层制作在氮化镓成核层上；一n型接触层制作在缓冲层上,在该n型接触层的上面的一侧形成一台面；一下多周期n型电子耦合层制作在n型接触层上台面另一侧的上面；一下隧穿势垒层制作在下多周期n型电子耦合层上；一上多周期n型电子耦合层制作在下隧穿势垒层上；一上隧穿势垒层制作在上多周期n型电子耦合层上；一多周期活性发光层制作在上隧穿势垒层上；一负电极制作在n型接触层的台面上；一p型电子阻挡层制作在多周期活性发光层上；一p型接触层制作在p型电子阻挡层上；一正电极制作在p型接触层上,形成氮化镓系发光二极管的结构。 |
| metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
| Patent Number | CN102185056A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110115323.1 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23514 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 马平,王军喜,魏学成,等. 提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管, 提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管. CN102185056A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管.p（533KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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