| 氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法; 氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法 | |
郭恩卿; 伊晓燕 ; 汪炼成; 孙波; 王国宏
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法,包括如下步骤：步骤1：取一氮化镓LED外延片,该外延片由衬底,N型氮化镓,多量子阱,铝镓氮EBL和P型氮化镓组成；步骤2：将该氮化镓LED外延片隔离成多个重复单元,每个单元就是一个独立的LED芯片；步骤3：对每个单元上表面的选定区域进行表面处理,使P型氮化镓的表层的中心区域形成电流阻挡层；步骤4：在每个单元上表面制作P电极,该P电极覆盖整个电流阻挡层及P型氮化镓,完成氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作。 |
| metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
| Patent Number | CN102214743A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110152904.2 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23510 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 郭恩卿,伊晓燕,汪炼成,等. 氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法, 氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法. CN102214743A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法.（298KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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