| 发光二极管封装结构的制作方法; 发光二极管封装结构的制作方法 | |
杨华 ; 卢鹏志; 谢海忠; 于飞; 郑怀文; 薛斌; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
| |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种发光二极管封装结构的制作方法,包括以下步骤：在绝缘衬底上利用金属有机物气相外延的方法依次生长n型层、有源层和p型层；光刻在p型层上面的一侧向下到达n型层的表面形成第一台面,在另一侧向下刻蚀到达绝缘衬底的表面,形成第二台面；在第一、二台面上制作导电通孔并填充导电金属；在靠近第二台面的一侧并覆盖部分p型层的上表面,制作绝缘层；在绝缘层上并覆盖绝缘层制作p电极；在第一台面上的导电通孔上制作n电极；将绝缘衬底减薄；在绝缘衬底的背面的两侧分别制作第一背电极和第二背电极,以上得到器件的基底；在器件的基底上封装一光学元件,完成基底上器件的制作；采用机械方式将基底上器件切割成独立的器件。 |
| metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
| Patent Number | CN102231421A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110198263.4 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23506 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 杨华,卢鹏志,谢海忠,等. 发光二极管封装结构的制作方法, 发光二极管封装结构的制作方法. CN102231421A. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 发光二极管封装结构的制作方法.pdf（292KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment