| Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法; Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法 | |
| 赵婧; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种Fe掺杂CuO纳米稀磁半导体材料的制备方法,包括如下步骤：步骤1：将CuSO4和FeSO4分别按比例混合后,再与过量的NaOH充分混合,形成混合物；步骤2：将混合物在玛瑙研钵中进行研磨,使混合物充分接触并发生化学反应,不断研磨直至反应体系的颜色完全转变为黑色,固相反应不再进行,形成反应产物；步骤3：将得到的反应产物用去离子水多次清洗,过滤出不溶于水的反应产物；步骤4：将过滤出的不溶于水的反应产物在干燥箱中烘干后研磨,得到前驱体粉末；步骤5：将前驱体粉末置于石英舟中,放入管式反应炉的中部,在Ar气氛下退火,得到黑色的纳米粉末,完成Fe掺杂CuO纳米稀磁半导体材料的制备。 |
| metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
| Patent Number | CN102351236A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110185833.6 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23503 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 赵婧,刘喆,王军喜,等. Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法, Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法. CN102351236A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法.（840KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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