| GaN基薄膜芯片的制造方法; GaN基薄膜芯片的制造方法 | |
刘硕; 郭恩卿; 伊晓燕 ; 王军喜; 李晋闽
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种GaN基薄膜芯片的制造方法,包括：1)在一蓝宝石衬底上生长外延层,该外延层包括N型层、活性层和P型层；2)在外延层上制作反射层；3)在反射层上涂覆第一树脂层；4)在第一树脂层上粘合第一临时基板,并固化；5)对蓝宝石衬底进行激光剥离,露出外延层的一面；6)在露出的外延层的一面涂覆第二树脂层；7)在第二树脂层粘合第二临时基板,并固化；8)去除第一临时基板和第一树脂层,露出反射层；9)在反射层上电镀永久支撑基板；10)去除第二临时基板和第二树脂层；11)粗化激光剥离掉蓝宝石衬底后的外延层的表面；12)在粗化后的外延层的表面制作电极。 |
| metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
| Patent Number | CN102496667A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110430261.3 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23501 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 刘硕,郭恩卿,伊晓燕,等. GaN基薄膜芯片的制造方法, GaN基薄膜芯片的制造方法. CN102496667A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| GaN基薄膜芯片的制造方法.pdf（757KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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