| GaN基薄膜芯片的制造方法; GaN基薄膜芯片的制造方法 |
| 刘硕; 郭恩卿; 伊晓燕 ; 王军喜; 李晋闽
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种GaN基薄膜芯片的制造方法,包括：1)在一蓝宝石衬底上生长外延层,该外延层包括N型层、活性层和P型层；2)在外延层上制作反射层；3)在反射层上涂覆第一树脂层；4)在第一树脂层上粘合第一临时基板,并固化；5)对蓝宝石衬底进行激光剥离,露出外延层的一面；6)在露出的外延层的一面涂覆第二树脂层；7)在第二树脂层粘合第二临时基板,并固化；8)去除第一临时基板和第一树脂层,露出反射层；9)在反射层上电镀永久支撑基板；10)去除第二临时基板和第二树脂层；11)粗化激光剥离掉蓝宝石衬底后的外延层的表面；12)在粗化后的外延层的表面制作电极。 |
| 部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
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| 专利号 | CN102496667A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110430261.3
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23501
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| 专题 | 中科院半导体照明研发中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
刘硕,郭恩卿,伊晓燕,等. GaN基薄膜芯片的制造方法, GaN基薄膜芯片的制造方法. CN102496667A.
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