| 制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法; 制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法 | |
| 高云; 张兴旺; 尹志岗; 屈盛; 高红丽 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法,该方法包括：步骤1：在衬底上,溅射一层缓冲层；步骤2：在缓冲层上溅射一层取向诱导层；步骤3：利用浸涂或者旋涂的方法,在取向诱导层上自组装一层磁性纳米颗粒阵列；步骤4：在磁性纳米颗粒阵列上溅射一层盖层,形成基片；步骤5：对基片进行退火处理,完成磁记录介质的制备。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 专利号 | CN102097106A |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN201010597849.3 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23493 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高云,张兴旺,尹志岗,等. 制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法, 制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法. CN102097106A. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法.（367KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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