| 量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法; 量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法 | |
| 邵永波; 赵玲娟; 于红艳; 潘教青; 王宝军; 王圩 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法,包括：在n型InP衬底上外延生长n型InP缓冲层、电吸收调制器下限制层、电吸收调制器多量子阱、电吸收调制器上限制层和本征InP注入缓冲层；生长SiO2保护层；形成放大器区和电吸收调制器区；腐蚀掉电吸收调制器区的SiO2保护层,在本征InP注入缓冲层上生长SiO2层；快速热退火；腐蚀掉SiO2层；在电吸收调制器上限制层上依次生长n型InP光限制因子调整层、放大器下限制层、放大器多量子阱和放大器上限制层；腐蚀掉电吸收调制器区的放大器上限制层、放大器多量子阱、放大器下限制层和n型InP光限制因子调整层；在放大器区和电吸收调制器区上生长p型InP包层和p型InGaAs电极接触层,完成器件的制作。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Patent Number | CN102162968A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010591447.2 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23489 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 邵永波,赵玲娟,于红艳,等. 量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法, 量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法. CN102162968A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方（478KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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