| 倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法; 倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法 |
| 周旭亮; 于红艳; 王宝军; 潘教青; 王圩
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法,包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上生长二氧化硅层；步骤2：采用传统光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出沟槽,刻蚀深度等于二氧化硅层的厚度；步骤3：以硅烷为原料采用VPE法刻蚀在沟槽内的硅衬底上形成倒V形的硅缓冲层；步骤4：分别用piranha、SC2、HF和去离子水,清洗沟槽底部的硅缓冲层；步骤5：采用低压MOCVD的方法,先在沟槽内生长GaAs缓冲层,然后在沟槽内的GaAs缓冲层上生长GaAs顶层；步骤6：采用化学机械抛光的方法,将超出沟槽的GaAs顶层抛光,抛光至与二氧化硅层齐平,完成材料的制备。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN102243994A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110206340.6
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23483
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
周旭亮,于红艳,王宝军,等. 倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法, 倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法. CN102243994A.
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