| 运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备; 运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备 | |
| 周旭亮; 于红艳; 王宝军; 潘教青; 王圩 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备方法,包括以下步骤：步骤1：在硅衬底1上生长二氧化硅层；步骤2：采用传统光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出沟槽；步骤3：采用KOH湿法刻蚀在沟槽的硅衬底上形成V形沟槽；步骤4：分别用piranha、SC2、HF和去离子水,清洗沟槽底部衬底的V形沟槽；步骤5：采用低压MOCVD的方法,先在沟槽内生长GaAs缓冲层,然后在沟槽内的GaAs缓冲层上生长GaAs顶层；步骤6：采用化学机械抛光的方法,将超出沟槽的GaAs顶层抛光,抛光至与二氧化硅层齐平,完成材料的制备。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Patent Number | CN102244007A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110206038.0 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23482 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 周旭亮,于红艳,王宝军,等. 运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备, 运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备. CN102244007A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备.pd（311KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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