运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备; 运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备 | |
周旭亮; 于红艳; 王宝军; 潘教青; 王圩 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 一种运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备方法,包括以下步骤:步骤1:在硅衬底1上生长二氧化硅层;步骤2:采用传统光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出沟槽;步骤3:采用KOH湿法刻蚀在沟槽的硅衬底上形成V形沟槽;步骤4:分别用piranha、SC2、HF和去离子水,清洗沟槽底部衬底的V形沟槽;步骤5:采用低压MOCVD的方法,先在沟槽内生长GaAs缓冲层,然后在沟槽内的GaAs缓冲层上生长GaAs顶层;步骤6:采用化学机械抛光的方法,将超出沟槽的GaAs顶层抛光,抛光至与二氧化硅层齐平,完成材料的制备。 |
metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
Patent Number | CN102244007A |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN201110206038.0 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23482 |
Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 周旭亮,于红艳,王宝军,等. 运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备, 运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备. CN102244007A. |
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运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备.pd(311KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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