| 具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法; 具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法 | |
| 刘德伟; 黄永光; 朱小宁; 王熙元; 马丽; 朱洪亮 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法,包括：在p型硅基衬底的一面制作二氧化硅掩蔽层；光刻二氧化硅掩蔽层,在二氧化硅掩蔽层的中间形成一环形和圆形n型掺杂窗口；在环形和圆形n型掺杂窗口采用磷离子注入或磷扩散的方法,形成n型掺杂层,环形n型掺杂层形成PN结保护环,圆形n型掺杂层形成PN结光敏区；在硫系环境下,采用超快激光脉冲辐照n型硅靶材表面的方法,在圆形PN结光敏区的表面形成硅纳米点层；在硅纳米点层上面淀积一层增透膜层；光刻增透膜层,在增透膜层的表面形成环形电极窗口；在环形电极窗口上制备光敏区正面接触电极；在保护环上制备正面接触电极；在p型硅基衬底的背面制备背面接触电极,完成器件的制作。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Patent Number | CN102227005A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110155465.0 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23481 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 刘德伟,黄永光,朱小宁,等. 具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法, 具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法. CN102227005A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构（340KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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